2.《美国的霸权霸道霸凌及其危害》报告：美国在高科技领域大搞垄断打压、技术封锁
3.【芯事记】开年以来，上海积塔招投标量持续提升，北方华创中标9台刻蚀机，占比高达75%
近日，行业领先的数通和车载网络半导体厂商——景略半导体，推出数款SOHO级L2/Lite-Management千兆交换机JL61xx芯片。该系列新产品基于自主设计的BlueWhale™交换平台，集成了业内领先的EtherNext™高速以太网PHY技术和高性能的RISC-V处理器，其功能和性能各方面指标达到业内先进水平。
景略半导体是一家推动高速网络通信和数据传输技术的芯片设计企业。其EtherNext™以太网物理层PHY技术基于独特的数模混合信号技术架构结合先进的制造工艺，该技术使得景略半导体的Ethernet PHY产品在性能、功耗和成本等方面具有一马当先的优势，速率在高达万兆以上时仍可提供行业领先的低功耗远距离传输。
凭借领先的技术优势，景略半导体在网络交换芯片方面，能够说是长远布局，持续蓄力，产品扎实演进。早在2021年5月，景略半导体就推出了BlueWhale™交换平台，支持4~52口可扩展性，覆盖SOHO和SMB的L2/L2+交换机产品；2022年年初，景略半导体推出4~10口数款百兆交换芯片并实现大规模量产，成为国内首家自主可控的集成以太网PHY+switch的芯片厂家；2023Q1推出千兆交换芯片更是早早提上日程规划。
“以ChatGPT为代表的人工智能技术的持续突破，AI技术从视觉应用扩展到更广泛的语言应用，也催生算力和数据传输市场的高成长需求，” 景略半导体CMO郑一农表示，“景略半导体不断推出满足市场需求的产品，不仅在高速视频数据传输领域取得突破，也将持续服务于网络交换技术在数通和车载领域的落地和拓展。”
基于上述全面深厚的“硬核”布局，景略半导体推出的JL61xx系列网络交换芯片兼具自主可控、保障供应端安全、超高的性价比、客户端响应迅速等优势。在产品特性方面，更是达到业内先进水平
3、该系列芯片可以有两路 2500/1000/100/10Mbps 的MAC接口来连接外置主控或者PHY，来灵活实现各种不同应用场景。
4、JL61xx内置的强大RISC-V处理器，支持RTOS运行上层软件协议，可以轻轻松松实现轻量级远端管理和云端管理。
近年来，在国内数据中心、物联网、车联网等行业加快速度进行发展背景下，以太网交换设备市场规模逐步扩大。当前诸多因素影响，国内半导体供应链重构势在必行，叠加自主可控、行业信创大趋势驱动，国内厂商通过自主研发，技术持续提升，产品推陈出新，促进国内以太网交换芯片市场国产化进程不断加快。
在产品应用方面，景略半导体JL61xx系列紧跟市场需求，其典型的小端口数交换芯片，可以单独或者搭配各种主控SOC/PHY在家用/办公/工业/智能网联使用，包括常见的路由/CPE/光猫应用；也可以在高阶数据通信场景做桥接，具有广泛的应用。
千兆交换机的形态非常多，在数据通信的终端和接入端市场巨大，是一个需要深耕的领域。此次，景略半导体推出千兆交换机JL61xx芯片更是恰逢其时，通过推出系列新产品，一方面，使景略半导体以领先之势迅速抢占千兆SOHO这一巨大的市场，另一方面，也能够为景略半导体推出更广泛的交换芯片产品敦实基础。
依托深厚的以太网和高速serdes技术背景，沿OSI的7层网络框架，景略半导体从芯片技术门槛最高的物理层（L1）切入，然后突破至链路层（L2），再上升到网络层（L3），已实现单品突破到产品线到平台型公司的转型。与此同时，未来景略半导体也将在不同速率、不一样的产品形态和细致划分领域持续深耕，不断突破，紧抓产业趋势，推出更多交换芯片产品，以取得更多市场占有率，争取更领先的市场地位。
2.《美国的霸权霸道霸凌及其危害》报告：美国在高科技领域大搞垄断打压、技术封锁
集微网消息，据央视新闻报道，《美国的霸权霸道霸凌及其危害》报告发布，其中提到美国垄断打压的科技霸权。
报告指出，美国在高科技领域大搞垄断打压、技术封锁，遏阻其他几个国家科技和经济发展。
一是美国借知识产权保护之名搞知识产权垄断。利用各国特别是发展中国家在知识产权上的弱势地位和在相关领域制度上的空缺实施垄断，攫取高额垄断利润。1994年，美国推动《与贸易有关的知识产权协定》，强推知识产权保护的美国化进程和标准，企图固化科技垄断优势。
20世纪80年代，美国为打击日本半导体产业高质量发展，采取包括启动“301”调查、通过多边协议为双边谈判制造筹码、威胁将日本列为不公平贸易国、加征报复性关税等手段，逼迫日本签订《美日半导体协定》，导致日本半导体企业几乎完全退出全球竞争，市场占有率由50%跌至10%。同时，在美国政府扶持下，大量美国半导体企业趁机抢占市场。
二是美国将科技问题政治化、武器化、意识形态化。美国泛化国家安全概念，动用国家力量打压和制裁中国华为公司，限制华为产品进入美国市场，断供芯片和操作系统，在整个世界胁迫其他几个国家禁止华为参与当地5G网络建设，还策动加拿大无理拘押华为首席财务官孟晚舟近3年。
美国还炮制各种各样的借口，围追打压具有国际竞争力的中国高科技企业，已将1000多家中国企业列入各种制裁清单。美国还对生物技术、人工智能等高端技术实施管控，强化出口管制，严格投资审查，打压包括TikTok、微信等中国社会化媒体应用程序，游说荷兰和日本限制对中国芯片和相关设备与技术出口。
美国还在对华科学技术人才政策方面采取双重标准。2018年6月以来，针对部分高科技专业的中国留学生缩短了签证有效期限，屡屡无端禁止和滋扰中国学者赴美学术交流以及学生赴美留学，对在美华人学者开展大规模调查，排挤、打压华人科研群体。
三是美国借民主之名维护科技霸权。打造“芯片联盟”“清洁网络”等科技“小圈子”，给高科技打上民主、人权的标签，将技术问题政治化、意识形态化，为对他国实施技术封锁寻找借口。2019年5月，美国拉拢32个国家在捷克召开“布拉格5G安全大会”，发布“布拉格提案”，企图排除中国5G技术产品。2020年4月，时任美国国务卿蓬佩奥宣布“5G清洁路径”，计划在5G领域构建以“民主”为意识形态纽带、以“网络安全”为目标的技术联盟。美国上述举措的实质，就是通过技术联盟维护科技霸权。
四是美国滥用科技霸权大搞网络攻击和监听窃密。美国是全球窃密大户，作为“黑客帝国”早已恶名远扬。美国网络攻击和监听监视无孔不入，窃密手段五花八门，包括利用模拟手机基站信号接入手机盗取数据，操控手机应用程序，侵入云服务器，通过海底光缆进行窃密等。
美国实施“无差别”监视监听。从竞争对手到盟友，甚至包括德国前总理默克尔、法国多任总统等盟国领导人，无不在监听范围以内。“棱镜门”“脏盒”“怒角计划”“电幕行动”等美国网络监控和攻击事件，印证了美国的盟友伙伴都在美国的严密监控之列。美国窃听盟友伙伴的行径早已引起国际社会公愤。曾曝光美国监听项目的“维基揭秘”网站创始人阿桑奇说，不要期待这个“监听超级大国”会做出有尊严和让人尊重的行为。规则只有一个，那就没有规则。
3.【芯事记】开年以来，上海积塔招投标量持续提升，北方华创中标9台刻蚀机，占比高达75%
集微网消息，去年，上海临港新片区三周年重点建设项目开工仪式举行，上海积塔先进车规级芯片扩产项目位列其中。当时消息称，该项目为上海积塔在8英寸产线万片/月先进车规级芯片项目，逐步提升自贸区厂区工厂规模化水平，实现功率器件、模拟IC、MCU产品等汽车芯片量产，满足市场和客户的产能需求。
当前，随着上海积塔特色工艺生产线建设项目进程的推进，其对半导体设备的需求量持续提升。集微网根据招标平台数据整理统计，2022年四季度，上海积塔共招标312台设备，薄膜沉积、工艺检测和清理洗涤设施需求较大。2023年1月以来，上海积塔已累计招标83台。其中，刻蚀设备12台，薄膜沉积22台，离子注入1台，CMP 1台，热处理6台，涂胶显影1台。
中标方面，集微网根据招标平台数据整理统计，2023年1月以来，根据上海积塔产线公布的中标公告统计，已累计中标209台半导体设备，超过2022年四季度（127台）中标总和。其中，光刻设备2台，刻蚀设备12台，薄膜沉积13台，工艺检测4台，离子注入2台，CMP 1台，热处理6台，涂胶显影1台。
细分到设备环节来看，光刻环节，尼康提供1台ArFi浸没式扫描光刻机，合肥开悦半导体提供1台I-line曝光机。刻蚀、工艺检测两个环节，国产设备数量占比均为75%；刻蚀环节，北方华创提供9台刻蚀设备，涉及8英寸多晶硅刻蚀机、8英寸浅沟等离子刻蚀机、6英寸深沟槽等离子刻蚀机等；工艺检测环节，睿励科学仪器提供3台8英寸晶圆薄膜厚度测量机台。
薄膜沉积和热处理环节，国产设备数量占比分别为38.46%、33.33%；其中，万业企业旗下嘉芯迦能半导体提供1台铝铜金属溅射设备，北方华创提供1台8英寸外延沉积设备。而离子注入、CMP和涂胶显影环节，国内设备厂商中标数量为“零”，较为依赖进口；其中，应用材料提供1台背面高能量氢离子注入机，东京电子提供1台ArF浸没式匀胶显影机。
此外，今年1月，华大半导体旗下上海积塔半导体有限公司与农行上海市分行等8家银行签署银团协议。
据悉，本次银团由农行上海市分行主牵头，联合牵头行为国开行、进出口银行、工行、中行，参加行为光大银行、交通银行、招商银行。根据协议，银团成员将为上海积塔汽车芯片生产线项目提供总额超过百亿元的银团贷款。本次百亿元的资金将为上海积塔特色工艺生产线项目的持续推进注入一剂“强心剂”。
未来，随着上海积塔特色工艺生产线建设项目扩产增能，相应的设备需求量将会更大。而在半导体设备国产化的契机下，国内设备厂商有望获得更多的设备订单。
中建二局二公司消息显示，目前，该项目正全力进行P1生产厂房、CUB动力中心、生产辅助厂房桩基施工，预计3月中旬完成桩基施工作业。
中芯国际天津西青12英寸芯片项目于2022年9月开工。当时消息显示，该项目计划投资75亿美元，规划建设月产能为10万片的12英寸晶圆生产线纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务，产品主要使用在于通讯、汽车电子、消费电子、工业等领域。（校对/赵碧莹）
集微网消息，二维材料被科学界寄予厚望，近期二维半导体研究接连取得突破。二维半导体材料被认为未来不仅可能取代硅作为半导体原料，更为延续摩尔定律提供新方向。
二维材料是指厚度约为1-3个原子层的材料，有金属、绝缘体或半导体等种类。二维材料最经典的例子是石墨烯，这种由碳原子形成的单层正六边形薄膜厚度仅约3埃（10埃等于1纳米），也是2010年诺贝尔物理学奖的主要课题。
自从2004年石墨烯发现以来，二维材料迅速在国际上引起了基础研究和应用研究的热潮。
目前已研究的可用于半导体器件使用的二维材料有：石墨烯、氮化硼（BN）、二维黑磷（BP）、二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）、范德瓦尔斯材料等。其中，石墨烯是半金属，在导电添加剂、透明导电膜、导热、复合材料、以及光探测等方面具有应用前景，在电子器件领域替代式核心材料方面目前的应用目标还不明确。
2010年以来，以过渡金属硫族化合物为代表的原子层厚度半导体材料引起了另一波研究热潮，有望在未来信息电子器件领域发挥其自身的优势。这种新型的半导体材料具备达到物理极限的厚度，有望解决目前半导体器件领域内的一些技术瓶颈问题。研究得最好的是二硫化钼（MoS2）。另一个是二硫化钨 （WS2），它拥有比MoS2更快的速度。
硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律的预测，朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效的方向发展。然而，由于量子效应和界面效应的限制，硅基器件的微缩化已经接近极限。最新的国际器件与系统路线图（IRDS）预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
伴随着二维材料和二维电子学的研究热潮，包括石墨烯、金属型碳纳米管和金属相过渡金属二硫族化合物等众多范德华半金属被用作二维半导体的接触材料。二维半导体具有超薄平面结构、高迁移率、柔性和表面无悬挂键等特征，并能有效克服器件微缩时的短沟道效应而成为下一代电子科技类产品具有竞争力的候选材料。
近期，清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、东南大学等高校的研究团队也在二维半导体集成及材料生长方面取得突破。
在材料生长方面，由于材料生长热力学的限制，“1+1=2”的逐层生长方法难以给出均匀的双层，因此层数可控的二维半导体外延制备一直是尚未解决的难题。针对这一难题，南京大学电子科学与工程学院王欣然教授与东南大学合作，另辟蹊径，提出了衬底诱导的双层成核以及“齐头并进”的全新生长机制，在国际上首次报道了大面积均匀的双层MoS2薄膜外延生长，刷新了二维半导体器件开态电流的纪录，并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标。研究成果以“Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire”为题于2022年5月4日在线发表于《Nature》杂志。
在芯片集成制造方面，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。2022年12月9日，复旦大学团队在《Nature》上以《硅和二硫化钼异质互补场效应晶体管》为题发表研究成果。复旦大学微电子学院周鹏教授、包文中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
此前，北京大学彭海琳课题组在二维半导体超薄单晶栅介质研究中取得重要进展，实现了新型自然氧化物单晶栅介质β-Bi2SeO5的可控制备，其介电常数高达22，绝缘性能优异。二维Bi2O2Se/Bi2SeO5基顶栅场效应晶体管的栅介电层等效氧化层厚度（EOT）可微缩至0.41纳米，突破了二维电子器件超薄栅介质集成这一瓶颈。
此外，2023年1月11日，南京大学王欣然教授、施毅教授带领国际合作团队在《Nature》上发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。
为未来集成电路元器件尺寸的进一步微缩，相关研究突破一直在进行着。近日，清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室博士生李炫璋在导师范守善院士和魏洋副研究员、张跃钢教授指导下，提出并发展了二维半导体的一维半金属接触。他们从实验上实现了具有亚2纳米接触长度的场效应晶体管器件。该工作为未来集成电路元器件尺寸的进一步微缩提供了新的发展思路和重要方法。
基于新结构、新原理的二维半导体器件以其独特的性能，有望解决硅基器件面临的“瓶颈”。国际半导体联盟在“2015国际半导体技术路线图”（ITRS）中精确指出，“在众多的解决方案中，使用二维材料看起来是非常有前途的”，国内外公司也在争相研究，持续研发布局。
在2022年IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，英特尔公布了2D和3DIC封装技术方面的研究突破。英特尔希望能够通过超薄“2D”材料将更多晶体管安装到单个芯片上：英特尔展示了一种使用仅3个原子厚的2D沟道材料的全栅堆叠纳米片结构，同时在室温下以低漏电流实现了双栅结构上晶体管近乎理想的开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅的基本限制所需的两个关键突破。此外，研究人员还揭示了对二维材料的电接触拓扑结构的首次综合分析，这能更加进一步为高性能和可扩展的晶体管通道铺平道路。
2020年，台积电联手台湾交通大学成功研制出了一种全球最薄、厚度只有0.7纳米的基于氮化硼的超薄二维半导体在允许电压下不导电的材料，可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米制程的芯片。
2021年年中，台积电公布，公司与麻省理工学院（MIT）共同发表研究，首度提出利用“半金属铋”（Bi）作为二维材料的接触电极，可大幅度降低电阻并提高电流，使其效能几与硅一致，有助实现未来半导体1纳米的挑战。
三星电子在2020年7月6日宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国立科学技术学院（UNIST）和美国大学合作，发现了一种新材料，称为非晶氮化硼（a-BN）。三星表示，这项发表在《自然》杂志上的研究有可能加速下一代半导体的问世。
经过近十年的发展，二维电子学已经取得了巨大进步，但在大面积单晶制备、关键器件工艺、与主流半导体技术兼容性等方面仍存在挑战。目前，国内外都在针对二维材料基础研究与工程应用中的核心问题、主要瓶颈集中力量进行攻关布局。业界学者觉得，新材料和技术的开发可能还需要依赖于现有硅基材料和制程工艺，与硅融合发展，尽可能延续摩尔定律。二维材料和器件的发展也不例外，近中期还需要与硅基伴生和共生发展，再实现颠覆性技术突破。
2月17日何梁何利基金 2021和 2022 年度颁奖大会在北京钓鱼台国宾馆隆重举行。国务院副总理刘鹤出席大会并讲话，全国人大常委会副委员长，全国政协副主席、中国科协主席万钢出席大会。
杭州华澜微电子股份有限公司董事长兼总经理骆建军作为2022年度“何梁何利科学与技术创新奖”获得者接受了大会颁奖。
刘鹤副总理在颁奖大会发言强调，习格外的重视科学技术创新工作，党的二十大要求坚持创新在我们国家现代化建设全局中的核心地位。当今世界科学技术进步速度全面加快，人工智能、生命科学等领域已然浮现颠覆性的变化，国内经济发展也要求强有力的科技支撑，希望中国的科学家进一步发挥及其重要的作用。同时指出，获奖的优秀科技工作人员具有着强烈的使命感和责任意识，胸怀国家和人民；有执着的意志力，决不轻易放弃；有严谨的工作作风，实事求是，扎实工作。
图为：华澜微董事长骆建军获得何梁何利基金2022年度“科学与技术创新奖”
2021和2022年度何梁何利基金科学与技术奖各授予56名杰出科技工作人员（2年总计112名）。何梁何利基金最高奖项——何梁何利基金科学与技术成就奖，授予中国工程物理研究院胡思得院士和中国交通建设集团有限公司林鸣院士。科学与技术进步奖授予66位在数学力学、生命科学、工程技术等领域取得重大科学发现或做出突出贡献的优秀科技工作人员。何梁何利基金科学与技术创新奖下设青年创新奖、产业创新奖、区域创新奖三大类，共授予44位优秀科技工作人员。
何梁何利基金由香港爱国金融家何善衡、梁銶琚、何添、利国伟于1994年创立，旨在奖励中国杰出科学家，服务于国家现代化建设。29年来，共遴选奖励1526位杰出科技工作者，成为中国社会力量创建科技奖项的成功范例，为激发我们国家科技发展的活力、培养自主创新人才发挥了非消极作用。该奖每年评奖一次，分设科学与技术成就奖、科学与技术进步奖和科学与技术创新奖。1994年以来，钱学森、吴孟超、袁隆平、彭士禄、徐光宪、钟南山等一批著名科学家都曾获此殊荣。
获得何梁何利基金科学与技术奖，是国家和社会对骆建军先生在存储控制器芯片领域多年创新和产业应用的肯定，更是对国内存储控制器芯片和集成电路产业的鼓励和支持。
【芯版图】法徳意见不合、美国力不从心，欧盟对中国电动汽车反补贴调查“双标”
